PINダイオードの逆回復電流を考慮したIGBTゲートノイズ電圧の理論解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-59

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): Theoretical Analysis of the Gate-noise voltage in an IGBT with the Reverse-recovery current of a PIN diode

著者名: 高木 海（九州工業大学）,長谷川 一徳（九州工業大学）

著者名(英語): Kai Takagi (Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa (Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ゲートノイズ|誤点弧|逆回復電流|寄生パラメータ|Gate-noise|shoot-through|Reverse-recovery current|parasitic parameters

PDFファイルサイズ: 525 Kバイト