分離ゲート構造を採用した自己バイアスチャネルダイオードの電気的特性のシミュレーション解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-50

グループ名: 【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2021/08/18

タイトル(英語): Simulation Analysis of Electrical Characteristics of Self-Biased Channel Diode with Split Gate Structure

著者名: 中村 雄介（神奈川工科大学）,工藤 嗣友（神奈川工科大学）,對馬 広隆（東北学院大学）,菅原 文彦（東北学院大学）

著者名(英語): Yusuke Nakamura (Kanagawa Institute of Technology),Tsugutomo Kudoh (Kanagawa Institute of Technology),Hirotaka Tsushima (Tohoku-Gakuin University),Fumihiko Sugawara (Tohoku-Gakuin University)

キーワード: 分離型ゲート|自己バイアスチャネル|DMOS|ダイオード|Split Gate|Self-biased Channel|DMOS|Diode

PDFファイルサイズ: 725 Kバイト