ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-40

グループ名: 【D】2022年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2022/08/30

タイトル(英語): Study on Driving Technique for Series-connected SiC-MOSFET/SiC-SBD Switching Elements Using Gate-magnetic-coupling Transformer and Capacitor

著者名: 石井 一輝（東京工業大学）,浦壁 隆浩（東京工業大学）,萩原 誠（東京工業大学）,中嶋 純一（三菱電機）,檜垣 優介（三菱電機）,地道 拓志（三菱電機）

著者名(英語): Kazuki Ishii (Tokyo Institute of Technology),Takahiro Urakabe (Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara (Tokyo Institute of Technology),Junichi Nakashima (Mitsubishi Electric Corporation),Yusuke Higaki (Mitsubishi Electric Corporation),Takushi Jimic

キーワード: ゲート駆動回路|ゲート磁気結合方式|素子直列接続|gate drive circuit|gate-magnetic-coupling method|series connection of power elements

PDFファイルサイズ: 684 Kバイト