並列接続SiC MOSFET直流遮断器のアバランシェ降伏時における被クランプ素子適用効果

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-42

グループ名: 【D】2022年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2022/08/30

タイトル(英語): The Effect of Applying a Clamped Element to a Paralleled SiC MOSFETs DC Circuit Breaker during the Avalanche Breakdown Operation

著者名: 髙森 太郎（東京都立大学）,和田 圭二（東京都立大学）,齋藤 渉（九州大学）,西澤 伸一（九州大学）

著者名(英語): Taro Takamori (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University),Wataru Saito (Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa (Kyushu University)

キーワード: 半導体遮断器|被クランプ素子|SiC MPSダイオード|UIS|Solid-state circuit breaker|clamped element|SiC MPS diode|UIS

PDFファイルサイズ: 2,214 Kバイト