観測データを用いたSiCプレーナ型MOSFETの数値計算モデルの検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-12

グループ名: 【D】2022年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2022/08/30

タイトル(英語): A Study on a Numerical Model of SiC Planar MOSFET Using Observational Data

著者名: 松井 五月（千葉工業大学）,増田 匠（千葉工業大学）,土井 敦史（千葉工業大学）,山本 秀和（千葉工業大学）,佐藤 宣夫（千葉工業大学）

著者名(英語): Satsuki Matsui (Chiba Institute of Technology),Takumi Masuda (Chiba Institute of Technology),Atsushi Doi (Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology)

キーワード: デバイスシミュレーション|device simulation|MOSFET

PDFファイルサイズ: 630 Kバイト