エミッタインダクタンスを用いた電流検出回路を応用したDual side-gate HiGTのゲート制御方式

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-62

グループ名: 【D】2022年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2022/08/30

タイトル(英語): Current detection circuit using emitter inductance applying Gate control method of Dual side-gate HiGT

著者名: 落合 勇紀（茨城工業高等専門学校）,長洲 正浩（茨城工業高等専門学校）,吉田 篤史（茨城工業高等専門学校）,稲葉 政光（日立パワーデバイス）

著者名(英語): Yuki Ochiai (National Institute of Technology, Ibaraki College),Masahiro Nagasu (National Institute of Technology, Ibaraki College),Atsushi Yoshida (National Institute of Technology, Ibaraki College),Masamitsu Inaba (Hitachi Power Semiconductor Device, Lt

キーワード: IGBT|電流検出回路|ゲートドライバ|IGBT|Current detection circuit|Gate driver

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