SiC-MOSFETの電圧サージ抑制及び損失低減を実現するアクティブゲートドライバ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45666

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Suppressing Voltage Surges and Reducing Losses during Switching of SiC-MOSFETs Active Gate Driver

著者名: 小野 翠稜（名古屋大学）,平沢 開（名古屋大学）,崔 時熏（名古屋大学）,米澤 遊（名古屋大学）,今岡 淳（名古屋大学）,山本 真義（名古屋大学）

著者名(英語): Kiyotaka Ono (Nagoya University),Haruki Hirasawa (Nagoya University),Sihoon Choi (Nagoya University),Yu Yonezawa (Nagoya University),Jun Imaoka (Nagoya University),Masayoshi Yamamoto (Nagoya University)

キーワード: アクティブゲートドライバ|電圧サージ|スイッチング損失|SiC-MOSFET|Active Gate Driver|Voltage Surge|Switching Losses|SiC-MOSFET

PDFファイルサイズ: 1,167 Kバイト