過電圧駆動SiC MOSFETの過電流時におけるC-V特性変動

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45679

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): C-V Characteristic Fluctuation of Overvoltage-Driven SiC MOSFETs under Overcurrent

著者名: 寒河江 貴英（東京都立大学）,林 真一郎（千葉工業大学）,和田 圭二（東京都立大学）

著者名(英語): Takahide Sagae (Tokyo Metropolitan University),Shin-Ichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)

キーワード: SiC MOSFET|過電流試験|C-V 特性|SiC MOSFET|Overcurrent test|C-V characteristics

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