2並列接続したGaN-HEMT間の並列発振による連鎖的誤動作を防ぐ寄生インダクタンスの設計指針

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-41

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Design Guideline of Parasitic Inductance for Preventing Oscillatory False Triggering of Two Paralleled GaN-HEMTs Caused by Parallel Oscillation between GaN-HEMTs

著者名: 石原 將貴（岡山大学）,吉田 崚真（岡山大学）,梅谷 和弘（岡山大学）,平木 英治（岡山大学）

著者名(英語): Masataka Ishihara (Okayama University),Ryoma Yoshida (Okayama University),Kazuhiro Umetani (Okayama University),Eiji Hiraki (Okayama University)

キーワード: GaN-HEMT|並列接続|誤動作|等価回路モデル|GaN-HEMT|Parallel connection|False triggering|Equivalent circuit model

PDFファイルサイズ: 2,033 Kバイト