ケルビン端子を有するパワーデバイスに寄生するコモンソースインダクタンスの発生メカニズムの解明

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-42

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Elucidation of the mechanism of the common source inductance of power devices with the kelvin source terminal

著者名: 小橋 孝太郎（岡山大学）,小西 晃央（岡山大学）,梅谷 和弘（岡山大学）,石原 將貴（岡山大学）,林 拓翔（岡山大学）,平木 英治（岡山大学）

著者名(英語): Kotaro Kobashi (Okayama University),Akihiro Konishi (Okayama University),Kazuhiro Umetani (Okayama University),Masataka Ishihara (Okayama University),Takuto Hayashi (Okayama University),Eiji Hiraki (Okayama University)

キーワード: コモンソースインダクタンス|SiC-MOSFET|パワー半導体|寄生インダクタンス|common source inductance|SiC-MOSFET|power semiconductor|parasitic inductance

PDFファイルサイズ: 952 Kバイト