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LUT切替方式を用いたゲート駆動によるSJ-MOSFET搭載PFC回路のターンオン時に生じる放射EMIの抑制

LUT切替方式を用いたゲート駆動によるSJ-MOSFET搭載PFC回路のターンオン時に生じる放射EMIの抑制

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-44

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Radiated EMI Suppression for PFC Circuit at Turn-on of SJ-MOSFET by Adjusting Gate Drive Level Using Lookup Table Switching Method

著者名: 安住 壮紀(東芝),川井 秀介(東芝),上野 武司(東芝),吉田 訓(東芝),藤原 泰幸(東芝デバイス&ストレージ),田中 二大(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Takenori Yasuzumi (Toshiba),Shusuke Kawai (Toshiba),Takeshi Ueno (Toshiba),Satoshi Yoshida (Toshiba),Yasuyuki Fujiwara (Toshiba Electronic Devices & Storage),Tsuguhiro Tanaka (Toshiba Electronic Devices & Storage)

キーワード: Gate駆動|PFC回路|ターンオン|ルックアップテーブル|Gate drive|PFC circuit|Turn-on|Lookup table

PDFファイルサイズ: 916 Kバイト

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