SiC MOSFETのスイッチング動作シミュレーションにおけるモデリング手法とシミュレーション精度向上

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-S1-2

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Modelling Methodology and Simulation Accuracy Improvement for SiC MOSFET Switching Simulation

著者名: 村田 信（ローム）,中村 洋平（ローム）,今村 飛馬（ローム）

著者名(英語): Makoto Murata (Rohm),Yohei Nakamura (Rohm),Asuma Imamura (Rohm)

キーワード: SiC MOSFET|シミュレーションモデル|等価回路|ダブルパルス評価|SiC MOSFET|Simulation Modelel|Equivalent Circuit|Double Pulse Test

PDFファイルサイズ: 707 Kバイト