回路&システムシミュレータに対応可能な高速・高精度SiC MOSFETモデルの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 4-S12-3

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Development of a high-speed and high-accuracy SiC MOSFET model applicable to circuit and system simulators

著者名: 中村 洋平（ローム）,黒田 尚孝（ローム／名古屋大学）,山口 敦司（ローム）,中原 健（ローム）

著者名(英語): Yohei Nakamura (Rohm),Naotaka Kuroda (Rohm/Nagoya University),Atsushi Yamaguchi (Rohm),Ken Nakahara (Rohm)

キーワード: パワーエレクトロニクス|モデルベース開発|シミュレーションモデル|SiC MOSFET|Power Electronics|Model-based Deign|Simulation Model|SiC MOSFET

PDFファイルサイズ: 678 Kバイト