ゲートバイアスによるGaN並列時の閾値電圧差補償

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-25

グループ名: 【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2023/08/16

タイトル(英語): Threshold Voltage Difference Compensation by Gate Bias for Paralleled GaN

著者名: 長谷川 和也（舞鶴工業高等専門学校）,七森 公碩（舞鶴工業高等専門学校）

著者名(英語): Kazuya Hasegawa (National Institute of Technology, Maizuru College),Kimihiro Nanamori (National Institute of Technology, Maizuru College)

キーワード: GaN FET|並列接続|閾値電圧の不一致|ゲートバイアス|GaN FET|parallel connection|threshold voltage mismatch|gate bias

PDFファイルサイズ: 463 Kバイト