高圧大電流SiC-MOSFETモジュールを用いた変換器ユニットの1.2kV, 4.5kA遮断特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45670

グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2024/08/27

タイトル(英語): 1.2-kV 4.5-kA Switching Characteristics Evaluation of a Converter Unit with High-Voltage and High-Current SiC-MOSFET Modules

著者名: 南雲 謙志（TMEIC）,小室 陽良（TMEIC）,緒方 雄大（TMEIC）,田中 柊次（TMEIC）

著者名(英語): Kenshi Nagumo (TMEIC),Akira Komuro (TMEIC),Yudai Ogata (TMEIC),Shuji Tanaka (TMEIC)

キーワード: シリコンカーバイド|低インダクタンス|高周波スイッチング|Silicon Carbide|Low Inductance|High-Freqency Switching

PDFファイルサイズ: 968 Kバイト