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蓄積電荷時空制御デバイスのスイッチング準備期間の動作

蓄積電荷時空制御デバイスのスイッチング準備期間の動作

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 45675

グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2024/08/27

タイトル(英語): Behavior of Time and Space Carrier Controlled Devices During Pre-Switching

著者名: 高田 裕亮(日立製作所),平尾 高志(日立製作所),鈴木 弘(日立製作所)

著者名(英語): Yusuke Takada (Hitachi),Takashi Hirao (Hitachi),Hiroshi Suzuki (Hitachi)

キーワード: IGBT|デュアルゲート|蓄積電荷時空制御(TASC)|MOS制御ダイオード(MOSD)|IGBT|Dual-gate|Time And Space Control of Stored Carrier|MOS-controlled Diode

PDFファイルサイズ: 598 Kバイト

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