GaN-HEMTを用いた2in1パワーモジュールの試作評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-39

グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2024/08/27

タイトル(英語): Evaluation study of GaN-HEMT 2in1 power module

著者名: 杉木 昭雄（大分デバイステクノロジー）,﨑山 寿人（大分デバイステクノロジー）,橋本 博典（大分デバイステクノロジー）

著者名(英語): Akio Sugiki (Oita Device Technology),Hisato Sakiyama (Oita Device Technology),Hironori Hashimoto (Oita Device Technology)

キーワード: GaN-HEMTパワーモジュール|高速スイッチング|ワイドバンドギャップ半導体|GaN-HEMT power module|High speed switching|Wide bandgap semiconductors

PDFファイルサイズ: 714 Kバイト