素子温度変化を考慮したSiC-MOSFET向け短絡解析モデルの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-43

グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2024/08/27

タイトル(英語): Development of Short Circuit Analysis Model for SiC MOSFETs Considering Junction Temperature

著者名: 平野 真希子（東芝インフラシステムズ）,葛巻 淳彦（東芝インフラシステムズ）,小谷 和也（東芝インフラシステムズ）

著者名(英語): Makiko Hirano (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Atsuhiko Kuzumaki (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Kazuya Kodani (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions)

キーワード: SiC-MOSFET|短絡|回路解析|SiC-MOSFET|Short Circuit|Circuit Simulation

PDFファイルサイズ: 531 Kバイト