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SiC CMOSゲートドライバを用いたSiCパワーMOSFETの高速スイッチング時の動的ゲート制御の実験的実証
SiC CMOSゲートドライバを用いたSiCパワーMOSFETの高速スイッチング時の動的ゲート制御の実験的実証
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カテゴリ: 部門大会
論文No: 1-65
グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2024/08/27
タイトル(英語): Experimental verification of an active gate control for high-speed switching of a SiC power MOSFET using a SiC CMOS gate driver
著者名: 八尾 惇(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),山口 大輝(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所)
著者名(英語): Atsushi Yao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Mitsuo Okamoto (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Daiki Yamaguchi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technolog
キーワード: SiC CMOS|ゲートドライバ|動的ゲート制御|SiCパワーMOSFET|SiC CMOS|Gate driver|Active gate control|SiC power MOSFET
PDFファイルサイズ: 1,770 Kバイト
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