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多機能走査型プローブ顕微鏡によるパワー半導体デバイス内部のナノスケール解析

多機能走査型プローブ顕微鏡によるパワー半導体デバイス内部のナノスケール解析

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カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-20

グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2024/08/27

タイトル(英語): Nanoscale Analysis of Power Semiconductor Devices by Multifunctional Scanning Probe Microscope

著者名: 塚田 大貴(千葉工業大学),辻 大士(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学)

著者名(英語): Hirotaka Tsukada (Chiba Institute of Technology),Taishi Tsuji (Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology)

キーワード: 多機能走査型プローブ顕微鏡|パワー半導体デバイス|Multi-Scanning Probe Microscope|Power Semiconductor Devices

PDFファイルサイズ: 1,811 Kバイト

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