OCVD法を用いたパワーデバイスの信頼性評価装置の基礎検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-98

グループ名: 【D】2024年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2024/08/27

タイトル(英語): Basic Study of Reliability Evaluation Equipment for Power Devices Using OCVD Method

著者名: 新見 渉（名古屋工業大学）,松盛 裕明（名古屋工業大学）,加藤 正史（名古屋工業大学）

著者名(英語): Wataru Shimmi (Nagoya Institute of Technology),Hiroaki Matsumori (Nagoya Institute of Technology),Masashi Kato (Nagoya Institute of Technology)

キーワード: SiC-MOSFET|Open Circuit Voltage Decay method (OCVD法)|キャリアライフタイム|SiC-MOSFET|Open Circuit Voltage Decay method (OCVD method)|career-lifetime

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