銀焼結ダイボンドを用いたGaN-HEMTパワーモジュールの熱抵抗低減効果

カテゴリ：部門大会

論文No：1-15

グループ名：【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日：2025/8/19

タイトル(英語)：The effect of reducing thermal resistance in GaN-HEMT power modules using silver sintered die bonding

著者名：杉木 昭雄（大分デバイステクノロジー）,﨑山 寿人（大分デバイステクノロジー）,橋本 博典（大分デバイステクノロジー）,梅木 誠（大分デバイステクノロジー）

著者名(英語)： Akio Sugiki (Oita Device Technology),Hisato Sakiyama (Oita Device Technology),Hironori Hashimoto (Oita Device Technology),Makoto Umeki (Oita Device Technology)

キーワード：銀焼結接合,熱抵抗,GaN-HEMTパワーモジュール,ワイドバンドギャップ半導体,silver sintered die bonding,thermal resistance,GaN-HEMT power modules,wide band gap semiconductors

要約(日本語)：

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：529Kバイト