HCIによるMOSFETの特性変動を実装するための解析手法

カテゴリ：部門大会

論文No：1-62

グループ名：【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日：2025/8/19

タイトル(英語)：Analysis Methodology for Implementing MOSFET Characteristic Variation due to Hot Carrier Injection (HCI)

著者名：堂本 航一（東京都立大学）,和田 圭二（東京都立大学）,林 真一郎（千葉工業大学）

著者名(英語)： Koichi Domoto (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University),Shinichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology)

キーワード：ホットキャリアインジェクション,劣化モデル,デバイスシミュレーション,有限要素法,HotCarrierInjection,degradation model,device simulation,finite element method

要約(日本語)：

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：579Kバイト