Si-IGBTのVCE-IC特性に基づいたターンオン時のモデル化

カテゴリ：部門大会

論文No：1-63

グループ名：【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日：2025/8/19

タイトル(英語)：Modeling of turn-on behavior based on the VCE-IC characteristics of Si-IGBT

著者名：大山 結有花（早稲田大学）,川﨑 颯哉（早稲田大学）,中村 洋（早稲田大学）,近藤 圭一郎（早稲田大学）,石川 勝美（日立製作所）,金子 貴志（日立製作所）

著者名(英語)： Yuka Oyama (Waseda University),Soya Kawasaki (Waseda University),Nakamura Hiroshi (Waseda University),Keiichiiro Kondo (Waseda University),Katsumi Ishikawa (Hitachi),Takashi Kaneko (Hitachi)

キーワード：パワー半導体デバイス,Si-IGBT,スイッチング,ゲート電圧,Power semiconductor device,Si-IGBT,Switching,Gate voltage

要約(日本語)：

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：613Kバイト