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LUT切替方式を用いたゲート駆動によるSJ-MOSFETのスイッチング特性の適正化

LUT切替方式を用いたゲート駆動によるSJ-MOSFETのスイッチング特性の適正化

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カテゴリ:部門大会

論文No:1-77

グループ名:【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日:2025/8/19

タイトル(英語):Optimization of the Switching Characteristics of SJ-MOSFET Using Gate Drive with Lookup Table Switching Method

著者名:安住 壮紀(東芝),川井 秀介(東芝),吉田 訓(東芝),藤原 泰幸(東芝デバイス&ストレージ),田中 二大(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Takenori Yasuzumi (Toshiba),Shusuke Kawai (Toshiba),Satoshi Yoshida (Toshiba),Yasuyuki Fujiwara (Toshiba Electronic Devices & Storage),Tsuguhiro Tanaka (Toshiba Electronic Devices & Storage)

キーワード:スイッチング,ゲート駆動,SJ-MOSFET,ルックアップテーブル,Switching,Gate drive,SJ-MOSFET,Lookup table

要約(日本語):

原稿種別:日本語

PDFファイルサイズ:1,149Kバイト

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