パワー半導体素子直列構成における自己バイアスゲート駆動回路に関する研究

カテゴリ：部門大会

論文No：1-78

グループ名：【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日：2025/8/19

タイトル(英語)：A Study on Self-Biased Gate Driver Circuit for Series Connection of Power Semiconductor Devices

著者名：高橋 晴大（東京科学大学）,浦壁 隆浩（東京科学大学）,原田 茂樹（東京科学大学）,糸川 祐樹（三菱電機）

著者名(英語)： Haruto Takahashi (Institute of Science Tokyo),Takahiro Urakabe (Institute of Science Tokyo),Shigeki Harada (Institute of Science Tokyo),Yuki Itogawa (Mitsubishi Electric)

キーワード：パッシブゲート駆動方式,素子直列接続,ゲート信号遅延,パワーMOSFET,passive gate drive system,series connection of power devices,gate signal delay,power MOSFET

要約(日本語)：

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：797Kバイト