矩形波電圧を用いたSiC MOSFETのゲート酸化膜TDDB寿命評価

カテゴリ：部門大会

論文No：Y-8

グループ名：【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日：2025/8/19

タイトル(英語)：Gate Oxide TDDB Lifetime Evaluation of SiC MOSFETs Applying Square Wave Voltage

著者名：村岡 柊（千葉工業大学）,林 真一郎（千葉工業大学）,和田 圭二（東京都立大学）

著者名(英語)： Shu Muraoka (Chiba Institute of Technology),Shin-ichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)

キーワード：ゲート酸化膜,長期信頼性,SiC MOSFET,TDDB,Gate oxide,Long-term reliability,SiC MOSFET,TDDB

要約(日本語)：

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：377Kバイト