縦型GaN PNダイオードのトポロジー最適化

カテゴリ：部門大会

論文No：Y-29

グループ名：【D】2025年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日：2025/8/19

タイトル(英語)：Topology optimization of vertical GaN PN diode

著者名：林 郡君（大同大学）,服部 佳晋（大同大学）,野村 勝也（関西学院大学）

著者名(英語)： Junjun Lin (Daido University),Yoshiyuki Hattori (Daido University),Katsuya Nomura (Kwansei Gakuin University)

キーワード：トポロジー最適化,パワーデバイス,GaN,ダイオード,Topology optimization,Power device,GaN,Diode

要約(日本語)：

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：428Kバイト