高アスペクト比深掘りトレンチの均一な電解めっきを可能とする超臨界流体薄膜堆積法で作製された低抵抗銅薄膜種層

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19am3-PS3-23

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): SCFD low resistance Cu seed layer for uniform electroplating on high-aspect-ratio deep trench

著者名: 宇佐美 尚人, 太田 悦子, 肥後 昭男, 百瀬 武, 三田 吉郎(東京大学)

要約(日本語): 本研究では図1のようにALD-Ru膜を下地として作製したSCFD-Cu薄膜を種層として電解めっきを行うことで、μmスケールの膜厚でCu薄膜を作製、および構造の埋め込みを行うことを提案する。我々の装置でSCFDを行うことで、一回当たり100 nm程度の厚みを持つCu薄膜を得られる。このSCFD-Cu種層はシート抵抗値が低いことから、電解めっきの際に均一な膜厚を高アスペクト比トレンチの内部で得ること、及び埋め込みの達成が期待される。

要約(英語): Supercritical fluids deposition (SCFD) has great capability in fabrication of high aspect ratio microstructures (HARMS). Conformal Cu film in high-aspect-ratio deep trenches can be obtained by SCFD. In this report, we demonstrated electroplating on SCFD Cu film.

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