深紫外LED向けシリコンパッケージング技術の開発
深紫外LED向けシリコンパッケージング技術の開発
カテゴリ: 部門大会
論文No: 19am3-PS3-5
グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発行日: 2019/11/12
タイトル(英語): Silicon Wafer Packaging for DUV(λ:265nm) LED
著者名: 千葉 広文(スタンレー電気), 鈴木 裕輝夫(東北大学), 安田 喜昭(スタンレー電気), 熊谷 光恭(スタンレー電気), 小山 孝明(スタンレー電気), 田中 秀治(東北大学)
要約(日本語): DUV LED向けシリコンウエハパッケージング(Si-PKG)はMEMSプロセスを用いて開発した。Si-PKGはアルカリエッチングによるキャビティ,キャビティ底に電界めっきAuSn/Ni/Cuで作製した貫通電極,封止ガラス蓋から構成される。平坦性のよいキャビティ底にはサブマウント無しでLEDが直接実装可能となり既存のAlNパッケージより放熱性能に優れる。Si-PKG後のDUV LEDから30mW発光を確認した。
要約(英語): This paper reports a DUV LED package based on silicon MEMS process technology. The package(Si-PKG) consists of a cavity, through-silicon vias(TSV) filled with electroplated Cu, and a quartz lid for hermetic sealing. DUV LED chip can be directly mounted in the Si-PKG. We confirmed a light output of 30 mW in the Si-PKG.using Si-PKG.
PDFファイルサイズ: 1,032 Kバイト
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