静的純ねじれ試験によるシリコントーションバーの破壊強度向上法の探索

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19pm2-T-1

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Screening of Process Factors for Silicon Torsional Bar by Static Pure Torsion Destructive Test

著者名: 鈴木 裕輝夫(東北大学), 大柳 英樹(東北大学), 千葉 広文(スタンレー電気), 引地 広介(テクノファイン), 小島 俊哉(東北大学), 金森 義明(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

要約(日本語): トーションバーの純ねじれを準静的に加えて評価できる試験機を開発した。スキャナーミラー型試験片の内片の所定箇所を押しピンで固定し,試験片外枠を回転させところに特徴がある。CDEによるトーションバー側壁平坦化とH2アニールによるトーションバー側壁の結晶性改善の2条件で純ねじれ平均破壊角度の向上を確認した。創出した純ねじれ試験方法を用いてシリコントーションバーの破壊強度向上法を探索する方法を実証した。

要約(英語): Static pure torsion fracture tester for silicon torsional bar was developed. Screening of process factor for silicon torsional bar by static pure torsion destructive test was demonstrated. Planarization of Deep RIE process surface by CDE shows improvement for torsion fracture angle. Reducing surface crystal defect in Deep RIE process surface by Hydrogen anneal shows significant improvement.

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