シリコン3 次元構造を用いた低温・ウェハレベルのアルカリ金属ガスセル作製法

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19pm2-T-3

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Low-Temperature Alkali Metal Vapor Cells Fabrication Utilizing Cs-Dispenser Composed of Three-Dimensional Silicon Microstructure

著者名: 木元 雄一, 中村 克生, 平井 義和, 土屋 智由, 田畑 修(京都大学)

要約(日本語): 本研究は原子時計用ガスセルの低温・ウェハレベルの作製法として,Siの3次元構造にCsN3を析出したCs生成源を開発した。本生成源は,DRIEで作製したSiの凹凸構造を用いてCsN3を加熱分解し,低温かつ効率的にCsを生成してガスセルに封入できる。またガスセルの特性評価の結果,本生成源と低温陽極接合を融合したプロセスがガスセル内の残留ガスの抑制に効果的であり,ガスセル性能は種々の先行研究と同等の高い周波数精度を示した。

要約(英語): We report an effective Cs vapor cell fabrication at the wafer-level utilizing a novel Cs-source, that are applicable to atomic clocks. In this method, Si grooves with multiple re-entrant structures is employed as a preform to deposit CsN3 precursor. This fabrication method enables Cs production with high efficiency and low residual gasses in the cell, leading a good atomic clock frequency stability.

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