P(VDF-TrFE)薄膜とCMOSのモノリシック構造による広帯域超音波トランスデューサアレイ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19pm5-PS3-20

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Wide-band Ultrasonic Transducer Arrays by Monolithic Integration of P(VDF-TrFE) Thin Film on CMOS

著者名: 中山 雄太(コニカミノルタ), 鈴木 謙次(コニカミノルタ), 金川 いづる(大阪府立大学), 松下 裕司(大阪府立大学), 水野 隆(コニカミノルタ), 三田 吉郎(東京大学), 吉村 武(大阪府立大学)

要約(日本語): 我々はCMOS LSI上に有機強誘電体P(VDF-TrFE)を直接成膜した20MHz高周波帯超音波トランスデューサーアレイを作製し、従来トランスデューサと比較して高感度かつ広帯域な受信特性を得た。本稿では受信感度に対するP(VDF-TrFE)膜厚と配線寄生容量低減の重要性を等価回路モデルで考察する。さらに等価回路モデルと受信感度実測値を用いて、試作トランスデューサの寄生容量値を検証する。

要約(英語): The 20MHz ultrasonic transducer array by monolithically integrated P(VDF-TrFE) film on a CMOS was fabricated. The P(VDF-TrFE) was directly deposited on the CMOS to minimize parasitic capacitance. In addition to our previous work (1) that demonstrated higher receiving sensitivity and broadband characteristics as compared to conventional transducer array with piezo-ceramics, we report parasitic capacitance estimation based on an equivalent circuit model and measured sensitivity in this paper.

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