ナノスケールシリコン応力測定用デバイスに用いるピエゾ抵抗素子の検証

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20am2-PS3-1

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Evaluation of piezoresistive element for stress mesurement of nanoscale silicon

著者名: 田中 秀悟, 安藤 妙子(立命館大学)

要約(日本語): ナノスケールシリコン引張試験デバイスに組み込む応力測定用のピエゾ抵抗素子の性能評価を行った。評価用に作製したピエゾ抵抗素子を組み込み切り出したウェハを4点曲げ試験を用いて、素子に加わった応力と素子の抵抗値を測定し、関係を調べた。素子に加わった引張応力と抵抗値の関係はほぼ線形を示した。このため、このピエゾ抵抗素子は応力測定に用いることが可能であると判断した。

要約(英語): We report evaluation of piezoresistive element for nanoscale silicon specimen tensile test. We carried out 4 points bending test silicon plate with piezoresistive element and measured element’s resistance at same time. The relation between tensile stress and the resistance was almost liner. So, we decided to use this piezoresistive element.

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