コアシェルSiCナノワイヤの電気伝導性に及ぼすシェル表面電位

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20am2-PS3-31

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Effect of shell surface potential to electrical properties of core-shell SiC nanowires

著者名: 井ノ山 滉大, 仲田 進哉, 上杉 晃生, 菅野 公二, 磯野 吉正神戸大学

要約(日本語): 本研究では,SiCNW-FETデバイスを新たに開発し,シェル層表面電位が SiCNW の電気伝導性に及ぼす影響を評価した。その結果,SiCNWはSiOXシェル層を持つことで,相互コンダクタンスおよびキャリアモビリティが増大するという結果が得られた。これは,SiCNWを正の固定電荷を含むSiOxシェル層によって被覆することでSiOX-SiC界面にキャリアの蓄積層が発生したことが原因だと予想される。

要約(英語): This research investigated an effect of shell potential to electrical properties of core-shell SiC nanowire by using newly developed device. As a result, SiCNW surrounded by SiOx shell showed larger transconductance and carrier mobility compared to SiCNW without shell. This indicates that positive fixed oxide charge of SiOx shell could have induced these results.

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