Ⅲ族窒化物半導体湾曲片持ち梁構造を利用したMEMSデバイスの検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20pm3-PS3-10

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Investigation of III-nitrides MEMS devices with curved cantilever structure

著者名: 吉里 穣, 中村 成志(首都大学東京)

要約(日本語): 本研究ではⅢ族窒化物半導体を用いた触覚センサの作製を目的としている。我々はAlGaN/GaN積層構造の特性が触覚センサに応用できると考え、実験を行った。解析ソフトを利用して好感度検知できるセンサのパラメータを設計し、実際にウェハを用いて設計したデバイス構造の作製プロセスの検証を行った。結果として好感度検知可能なパラメータを設計し、梁の持ち上がりを確認した。

要約(英語): The aim this study is to manufacture 3-nitride MEMS devices with curved cantilever sturucture.We used analysis to design the parameter of the device that can be used for sensitive detection.after that, we processed the AlGaN/GaN/Si substrate and verified the fabrication process of the designed structure of the device.

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