Thermal and electrical properties of porous silicon formed by metal-assisted chemical etching

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20pm3-PS3-16

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Thermal and electrical properties of porous silicon formed by metal-assisted chemical etching

著者名: リ イジェイ, Zhuqing Wang, 小野 崇人(東北大学)

要約(日本語): ポーラスシリコンは低い熱伝導率がありますので、一つの熱電材料と考えられです。この研究はポーラスシリコンが貴金属触媒エッチングを使って制作しました。貴金属触媒エッチングは貴金属は表面に触媒して、その直下のシリコンが選択的にエッチングされというテクニックです。まだ、貴金属触媒エッチングを形成されたポーラスシリコンの熱電気特性は測定されました。ポーラスシリコンの厚さと熱電気特性の影響も検討されました。

要約(英語): Porous silicon is considered as one of candidates for thermoelectric materials. In this study, porous silicon layers are formed by metal assisted chemical etching (MACE) using a metal as a catalist for silicon etching, and their thermal and electrical properties are evaluated. The thickness dependence on the thermal and electrical properties are evaluated.

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