延長ゲート型a-InGaZnO TFT イオンセンサの応答特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 21pm1-PS3-33

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Response evaluation of extended-gate a-InGaZnO TFT ion sensors

著者名: 岩松 新之輔(山形県工業技術センター), 竹知 和重(Tianma Japan), 村上 穣(山形県工業技術センター), 田邉 浩(Tianma Japan), 渡部 善幸(山形県工業技術センター)

要約(日本語): a-InGaZnO TFT pHセンサの安定性と拡張性向上を目的として,延長ゲート型pHセンサを開発し,pH感度,連続的pH変化への応答を評価した。また,延長ゲート電極にイオン感応膜を付加したNaイオンセンサ,Kイオンセンサを開発し,応答特性を評価した。

要約(英語): In this paper, we discuss our primary results for the extended-gate a-InGaZnO TFT pH sensor, including its pH sensitivity and response to a pH change of 0.001. Furthermore, we developed extended-gate a-InGaZnO TFT sodium and potassium ion sensors and evaluated their response characteristics.

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