TiNマイクロヒータを用いた中空ヒータ構造の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 21pm1-PS3-6

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Study of hollow heater structure of TiN micro-heater

著者名: 伊藤 浩(東京工業高等専門学校), 川又 由雄(東京工業高等専門学校), 新國 広幸(東京工業高等専門学校)

要約(日本語): 本研究ではTiNマイクロヒータの中空化構造を作製し、ヒータ特性を評価した。中空化プロセスでは低圧縮応力SiO2膜をスパッタ法とポストアニールにて作製し、膜の緻密化のため基板バイアス成膜法を用いた。さらに、応力緩和のためにTiN膜の引張り応力を持つTiN膜を成膜後にエッチングする方法とした。作製したTiNマイクロヒータを評価した結果、400℃における消費電力は約70mWとなり、T字型構造より約1/10に低減した結果を得た。

要約(英語): In this study, the TiN micro-heater of hollow structure was fabricated and evaluated the heater characteristics. From measurement results of the follow structure micro-heater, it was obtained that the power dissipation was 70 mW at 400℃ which was 1/10 lower value of the T-type structure.

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