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良好な絶縁性を有するc軸配向PZT系単結晶薄膜のSi基板上への形成

良好な絶縁性を有するc軸配向PZT系単結晶薄膜のSi基板上への形成

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 21pm1-PS3-9

グループ名: 【E】第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2019/11/12

タイトル(英語): Fabrication of C-Axis-Oriented PZT-Based Monocrystalline Thin Film with Reasonably High Insulation Property on Si Substrate

著者名: 海老原 凌(東北大学), 吉田 慎哉(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

PDFファイルサイズ: 1,131 Kバイト

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