回路動作とセンサ動作を両立できる0.18um 8角形多端子MOSFETの研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26A3-SS1-2

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): 0.18um Octagonal-MOSFET for realizing both the circuit and sensor operations

著者名: 及川 康太(山形大学), 原田 知親(山形大学)

要約(日本語): 従来は回路とセンサは構造が異なり同一集積が難しい。そのため2μmCMOSプロセスを用いた8角形多端子MOSFETが考案された。しかし現在の集積回路は1.0um未満のプロセスで作製され、微細化で問題が起きる可能性がある。そこで、本研究では0.18μmCMOSプロセスを用いた8角形多端子MOSFETがMOSFET動作とセンサ動作が可能か検証した。結果、素子サイズを94%削減し、MOSFET動作と磁界検出動作が可能であることが明らかとなった。

要約(英語): In the previous research, it’s difficult to integrate circuit and sensor due to different structure._x000D_ To solve the problem, Octagonal MOSFET using 2μm process were designed and proposed._x000D_ But, recently integrated circuit are fabricated by under 1.0μm process, and it may induce_x000D_ performance degradation. Hence, we fabricate and evaluate Octagonal MOSFET using 0.18μm CMOS process.As the experimental results, the proposed device can be realized both the circuit and magneticfield sensor operation.

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