高精度なVth制御性と高い電荷保持特性をもつ不揮発性イオンセンサ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26A3-SS2-1

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Non-Volatile Ion Sensor with Highly Accurate Vth Controllability and High Charge Retention Characteristic

著者名: 奥秋 裕介(旭化成エレクトロニクス), 望月 秀則(旭化成エレクトロニクス), 柴田 佳彦(旭化成エレクトロニクス)

要約(日本語): 本稿では、イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)の重要課題の1つである閾値電圧(Vth)ばらつきへの対策として、ポリシリコン1層メモリを用いた新規構造のイオンセンサを提案する。新規イオンセンサは、優れたVth制御性と電荷保持特性の両方を兼ね備えていることを実証する。

要約(英語): In this paper, we propose an ion sensor with a new structure using a polysilicon single-layer memory as a solution of threshold voltage (Vth) variation, which is one of the important issues of ion sensitive field effect transistor (ISFET). We will demonstrate that the new ion sensor has both excellent Vth controllability and charge retention characteristic.

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