深紫外LED向けシリコンパッケージング技術(Si-PKG)の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26P3-SS1-3

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): SILICON WAFER PACKAGING OF DEEP UV LED

著者名: 千葉 広文(スタンレー電気), 鈴木 裕輝夫(東北大学), 安田 喜昭(スタンレー電気), 田中 秀治(東北大学)

要約(日本語): シリコンMEMSプロセス技術を用いた深紫外LED向けウエハレベルパッケージ技術について報告する。今回,TSV電極の設計見直しとAuSnめっき技術の改善によりSi-PKGの放熱性能を大幅に向上させ,既存のAlNパッケージと比較し114%に相当する50mWの光出力を確認した。また,レーザーフリット封止技術を用いた100個LEDの一括封止技術について報告する。

要約(英語): We report on a wafer-level package technology using a silicon MEMS process technology for deep UV LEDs. By re-designing TSV electrode and improving the AuSn plating technology, the heat dissipation performance of the Si-PKG has been greatly improved, and an optical output of 50 mW, equivalent to 114% of the current DUV LED AlN packaged, has been confirmed. We also report on the batch encapsulation of 100 LEDs using the laser frit seal technology.

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