シリコンマイグレーション効果を用いたウェハレベル高真空パッケージングの封止プロセス技術と配線構造の提案

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26P3-SS2-6

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Encapsulation Process Technology for Wafer-Level Vacuum Packaging Using Silicon Migration Effect and its wiring structure

著者名: 鈴木 大貴(東北大学), 鈴木 裕輝夫(東北大学), 小島 俊哉(東北大学), 金森 義明(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

要約(日本語): 共振型MEMS向け高真空パッケージ技術、シリコンマイグレーションシーリング(SMS)における新たなプロセスを提案する。本プロセスでは水素アニールによるベントホール閉塞に先立ち、洗浄工程を導入することで閉塞歩留りに対する対策を講じた。また、封止直後の内部圧力測定結果を初めて報告する。_x000D_ 更にSMSにおける電極の取り出し方法を提案し、その実現性についても検討する。

要約(英語): Silicon migration seal (SMS) is new possibility for high vacuum encapsulation of MEMS. In this paper, new fabrication process is proposed, which enables the sample to keep clean in advance of sealing by hydrogen annealing. After sealing, hermetic seal around 13kPa was confirmed. Furthermore, a method of electrode formation is proposed.

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