犠牲層Poly-Si膜を併用したシリコンエッチングプロセスによる熱式MEMSフローセンサの性能向上

カテゴリ: 部門大会

論文No: 27A2-SS1-3

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Improvement of thermal type of MES flow sensor by new process of silicon etching conbined with sacrificial poly-Si layer

著者名: 笠井 隆(オムロン), 桃谷 幸志(オムロン), 中野 優(オムロン), 中尾 秀之(オムロン)

要約(日本語): 熱式MEMSフローセンサの作製に,Poly-Si(多結晶シリコン)をシリコンエッチングにおける犠牲層として利用する新プロセスを提案した。犠牲層Poly-Si膜が等方性にエッチングされることにより,エッチングホールを結晶異方性のルールに縛られずに配置することが可能となった。新プロセスで可能になったデザインを試作,評価したところ,最大で38%の消費電力効率の向上や低流量域での感度の改善など,様々な改善効果が確認された。

要約(英語): This paper reports new process for thermal MEMS flow fabrication and its performance improvement. A unique point of the process is silicon etching which is combination with normal crystal-oriented silicon etching and isotopically etching of poly-Si. New process improves design flexibility of the membrane and enhances flow sensor performance such as power consumption and flow sensitivity.

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