ガンマ線照射ダメージその場加熱回復のためのメンブレン型ヒータ集積化LSI

カテゴリ: 部門大会

論文No: 27A2-SS2-5

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Membrane-Heater-Integrated LSI for On-site Annealing-Recovery from Gamma Ray Irradiation Damage

著者名: 弓 天驕(東北大学), 鈴木 裕輝夫(東北大学), 武山 明憲(量子科学技術研究開発機構), 大島 武(量子科学技術研究開発機構), 田中 秀治(東北大学)

要約(日本語): 本研究では、ガンマ線照射による集積回路損傷の問題を解決することを目的として、低消費電力でのTID効果からのその場加熱回復のためのメンブレン型ヒーター集積化LSIを提案した。ヒーターとメンブレン構造は、MEMSテクノロジーによってLSIの周囲に作成された。コア回路の電流は照射後に減少し、300℃で1時間のアニーリング後に増加することがわかり、その場加熱回復のコンセプトの可能性を実証した。

要約(英語): In this study, we proposed a membrane-heater-integrated LSI for on-site annealing-recovery from TID effect with low energy consumption, aiming at solving the problem of intergrated circuits damage by gamma ray irradiation. The heater and membrane structure are fabricated around the LSI by MEMS technology. It is found that the current of core circuit decreased after irradiation and increased after one-hour annealing at 300 ℃, which confirmed the possibility of on-site annealing-recovery concept.

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