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SiN多孔膜を介した階層型共培養によるニューロン細胞外電位の安定的計測

SiN多孔膜を介した階層型共培養によるニューロン細胞外電位の安定的計測

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 27P2-SS1-5

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Back-to-back Layered Co-culture on a SiN Porous Membrane for Stable Measurement of Neuronal Extracellular Potentials

著者名: 吉田 悟志(九州工業大学), 安田 隆(九州工業大学)

要約(日本語): 多数の微小孔を設けたSiN製自立膜上に微小電極アレイを形成し,電極形成面にニューロンを,裏面にアストロサイトを培養する階層型共培養を実現した.これにより,微小孔を通じた細胞間コミュニケーションによるニューロン活性の維持と,電極表面への確実なニューロン接着を実現し,ニューロンの細胞外電位を長期に渡り安定的に計測することを可能とした.従来の片面共培養法と比較することで,本手法の有用性を実証した.

要約(英語): We developed a novel device for measuring neuronal potentials. Microelectrodes were formed on a SiN membrane having multiple microholes. Neurons and astrocytes were back-to-back co-cultured on both surfaces of the membrane. This permitted the firm contact between neurons and microelectrodes and the cell-to-cell interaction through microholes, which led to stable measurement of potentials.

PDFファイルサイズ: 2,069 Kバイト

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