反応性イオンエッチングを用いた極薄チタンウェハのドライナノ研磨技術の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 28A3-SS2-1

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Development of dry-nano-polishing technique using reactive ion etching for ultra thin titanium wafer

著者名: 千野 輝弥(新潟大学), 渡邉 悠太(新潟大学), 寒川 雅之(新潟大学), 安部 隆(新潟大学)

要約(日本語): 本研究では,反応性イオンエッチングを用いた極薄チタンウェハのドライナノ研磨技術を開発した。フォトレジストを利用した平坦化と堆積性ガスを組み合わせることでチタン表面の表面粗さの改善を試みた。加工温度やSF6 / C4F8ガスの比を変えることにより,レジストとチタンのエッチング速度が近づくように調整し,チタンウェハをエッチングすることで,レジストの滑らかな表面形状をチタン表面に転写し鏡面加工に成功した。

要約(英語): In this study, we developed a dry nano-polishing technique using reactive ion etching for ultra thin titanium wafer. Etching speed of titanium and photoresist were adjusted to close to each other by changing temperature and ratio of SF6 / C4F8 gas. We succeeded in polishing ultra thin titanium wafer.

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