ZnO/Siヘテロ界面特性評価のための同心円型マイクロ電極構造の提案

カテゴリ: 部門大会

論文No: 28A3-SS2-3

グループ名: 【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2020/10/19

タイトル(英語): Coaxial Micro Structure for ZnO/Si Heterojunctions Assessment

著者名: 宮澤 騎宏(東京大学), 宇佐美 尚人(東京大学), 王 海濱(東京大学), 久保 貴哉(東京大学), 瀬川 浩司(東京大学), 三田 吉郎(東京大学), 肥後 昭男(東京大学)

要約(日本語): 現在研究をしているPbS/ZnO/Siフォトデバイス界面の電気特性を評価する為に同 軸円テスト構造(Coaxial CTLM)を考案した. n型ZnOとn型Siの界面をこの手法を 用いて測定し、ショットキーダイオード的電気特性を有することを突き止めた.

要約(英語): To investigate the hetero-interface of our device, we proposed coaxial CTLM (CCTLM) structure. By using this electrodes, the interface of n-type ZnO / n-type Si hetero-junction was identified to be Schottky-_x000D_ diode.

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