真空封止用Au/Ta/Ti接合層を用いたガス吸収プロセスの開発とその低温化

カテゴリ: 部門大会

論文No: 10A3-SS3-2

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 狩谷 真悟（東京理科大学）, 松前 貴司（産業技術総合研究所）, 倉島 優一（産業技術総合研究所）, 髙木 秀樹（産業技術総合研究所）, 早瀬 仁則（東京理科大学）, 日暮 栄治（産業技術総合研究所）

キーワード: 真空封止|直接接合|脱ガスアニール|残留ガス吸収

要約(日本語): We have developed a Au/Ta/Ti (from top to bottom) metal multilayer to improve the vacuum packaging technique for microelectronic devices. Wafer-level vacuum packaging after degas annealing at 200 °C was successfully demonstrated using the Au/Ta/Ti multilayer. Moreover, this multilayer can absorb gas molecules by annealing at 300 °C that caused thermal diffusion of Ti underlayer atoms to the surface. Absorbing residual gases in packages is an effective method to maintain a high vacuum environment. In addition, the temperature for gas gettering was lower compared with the case of the Au/Pt/Ti layer. The Au/Ta/Ti multilayer would contribute to fabrication of devise having thermally sensitive materials because it enables wafer-level packaging after degassing annealing and absorbing residual gas at low temperatures.

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